成果信息

我们通过从能带计算、结构设计到外延优化的一系列创新性工作，实现了高质量高Al组分AlGaN材料的外延生长，在国内首次成功制备了300nm以下的深紫外LED器件，并提高了深紫外LED的发光效率，实现了器件的毫瓦级功率输出。在20mA电流下，室温连续输出功率大于2mW。 )

背景介绍

与GaN 基蓝光LED 相比，目前紫外LED 、尤其是波长短于300nm 的深紫外LED 的研发更加困难。紫外LED在生化探测、杀菌消毒、无线通讯等领域都有重大应用价值，因此，尽管紫外LED的研究充满挑战性，但是它依然吸引了美、日等国家和地区的众多研究机构。)

应用前景

深紫外LED在杀菌消毒、医疗卫生、生物探测、安全通讯、白光照明等诸多领域有着广阔的市场前景，潜在市场规模可达数十亿美元。相比于目前传统紫外光源汞灯而言，不存在汞污染的环境问题，更加符合当今绿色环保的产业发展趋势，而且具备小巧轻便、低压低耗、易于调谐等优点。目前在杀菌消毒方面已有相关产品和市场应用，在医疗、生物、环境等领域的应用目前正在拓展中。)