成果信息

一种面向TLC型NAND Flash的阈值电压获取方法，涉及固态存储领域，为了解决由于NAND Flash的阈值电压只能通过NAND Flash读操作来间接测量而导致其可靠性差的问题。本发明通过首先将指定数据写入闪存；其次对NAND Flash执行READ？OFFSET操作获得位翻转数据；最后对位翻转数据进行处理和拟合，最终获得阈值电压分布模型。有益效果为利用NAND Flassh中开放的READ？OFFSET功能，通过控制其读参考电压偏移的方法，找到参考电压和阈值电压分布的关系，间接测量出NAND Flash阈值电压分布；通过对不同状态的NAND Flash阈值电压分布测试，还可以找到其读干扰、编程干扰、驻留偏移、P/E磨损规律；可以用来预测NAND Flash使用寿命，也可以为ECC（Error Cprrection Code）强度匹配提供数据支撑，从而提高SSDs的读写性能。)

背景介绍

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应用前景

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